专利名称：一种浅沟槽隔离结构的制造方法专利类型：发明专利发明人：鲍宇
申请号：CN201410390784.3申请日：20140808公开号：CN104134627A公开日：20141105
摘要：本发明提供一种浅沟槽隔离结构的制造方法，通过在硬掩膜层的浅沟槽图案侧壁形成侧墙，扩大了浅沟槽填充的工艺窗口，保证了半导体衬底表面延伸的浅沟槽隔离结构的距离以及后续浅沟槽隔离结构的圆角工艺效果；同时利用浅沟槽隔离结构的介质密度小于侧墙的介质密度，在后续硬掩膜层去除工艺以及栅极刻蚀工艺过程中，使用侧墙很好的反向保护浅沟槽隔离结构与半导体衬底接触位置的结构，避免浅沟槽隔离结构与半导体衬底表面接触的位置出现凹坑缺陷。
申请人：上海华力微电子有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：王宏婧
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