专利名称：一种改善刻蚀关键尺寸稳定性的方法专利类型：发明专利
发明人：聂钰节,昂开渠,江旻,唐在峰,任昱申请号：CN201710471711.0申请日：20170620公开号：CN107403723A公开日：20171128
摘要：本发明公开了一种改善刻蚀关键尺寸稳定性的方法，包括如下步骤：提供晶圆，并进行等离子体刻蚀；采集刻蚀工艺过程中的实际等离子体发射光谱曲线；将采集到的实际等离子体发射光谱曲线与一标准曲线进行比对，判断分析等离子体刻蚀腔体的漂移情况；参考实际等离子体发射光谱曲线相对于所述标准曲线的漂移情况，分析并调整刻蚀程式的工艺参数；按照调整过的工艺参数对后续批次的晶圆进行刻蚀。本发明通过对比分析实际采集到的等离子体发射光谱曲线与标准曲线以判断刻蚀环境的漂移情况，并据此调节补偿刻蚀程式的工艺参数，再进行后续晶圆的刻蚀作业，避免了因刻蚀环境漂移带来的刻蚀关键尺寸的偏移，提高了刻蚀工艺关键尺寸的稳定性。
申请人：上海华力微电子有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：智云
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容