专利名称：一种提高NAND闪存中跨页存储地址映射效率的方
法
专利类型：发明专利
发明人：吴非,谢长生,刘伟华,张猛申请号：CN201711074790.8申请日：20171106公开号：CN107861884A公开日：20180330
摘要：本发明公开了一种提高NAND闪存中跨页存储地址映射效率的方法，包括：从闪存芯片中选择多个块号最大的块作为信息记录块，对于每个信息记录块而言，将其每个页中除了ECC码以外的部分划分为多个槽，每个槽的大小等于一个被记录页或被记录子页的信息位的大小，将信息记录块的最后一个槽设置用于记录槽所在页与被记录页之间的对应关系，将被记录页的信息位写入对应的槽中。本发明根据对闪存结构分布与读写流程等特性的研究以及工程化需求，提供了一种空间高效的小容量信息位跨页存储的地址映射的方法。
申请人：华中科技大学
地址：430074 湖北省武汉市珞喻路1037号华中科技大学
国籍：CN
代理机构：武汉臻诚专利代理事务所(普通合伙)
代理人：宋业斌
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