专利名称：一种多孔硅基氧化钨纳米线复合结构的制备方法专利类型：发明专利
发明人：胡明,魏玉龙,闫文君,马文锋,张玮祎申请号：CN201510043941.8申请日：20150128公开号：CN104655802A公开日：20150527
摘要：本发明公开了一种多孔硅基氧化钨纳米线复合结构的制备方法，采用水热法将多孔硅与一维氧化钨纳米线复合形成新的复合结构气敏材料，其具有巨大的比表面积和较大的表面活性，可提供大量的吸附位置和扩散通道，从而有利于克服基于一维氧化钨纳米结构气敏材料工作温度较高的缺陷，提供一种结构新颖、制作工艺简单的多孔硅基氧化钨纳米线复合结构的制备方法，并研究水热反应时间对复合结构微观形貌的影响。
申请人：天津大学
地址：300072 天津市南开区卫津路92号
国籍：CN
代理机构：天津市北洋有限责任专利代理事务所
代理人：宋洁瑾
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