专利名称：浅沟槽隔离结构的制造方法专利类型：发明专利发明人：李敏,郑春生
申请号：CN200810227180.1申请日：20081124公开号：CN101740462A公开日：20100616
摘要：一种浅沟槽隔离结构的制造方法，包括：提供衬底，在所述衬底上依次具有垫氧化硅层和硬掩膜层；在所述衬底中具有沟槽，在所述垫氧化硅层和硬掩膜层中与沟槽相应的位置具有开口；执行湿氧氧化工艺，在所述沟槽的底部以及侧壁形成衬垫氧化硅层；在所述沟槽中的衬垫氧化硅层和所述硬掩膜层上形成介质层；去除所述硬掩膜层上的介质层及所述的硬掩膜层；本发明可提高浅沟槽隔离结构中的衬垫氧化硅层的厚度一致性。
申请人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
地址：100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：李丽
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容