专利名称：碳化硅衬底专利类型：发明专利
发明人：井上博挥,原田真,堀勉,藤原伸介申请号：CN201280001235.1申请日：20120215公开号：CN102869817A公开日：20130109
摘要：第一单晶衬底（11）具有第一侧表面且由碳化硅构成。第二单晶衬底（12）具有与第一侧表面相对的第二侧表面且由碳化硅构成。接合部（BD），在第一和第二侧表面之间，使第一和第二侧表面彼此连接且由碳化硅构成。接合部的至少一部分具有多晶结构。因此，可以提供一种能够以高产量制造半导体器件的大尺寸碳化硅衬底。
申请人：住友电气工业株式会社
地址：日本大阪府大阪市
国籍：JP
代理机构：中原信达知识产权代理有限责任公司
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