（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201910119038.3 （22）申请日 2019.02.18
（71）申请人 衢州晶哲电子材料有限公司
地址 324022 浙江省衢州市衢江区岑一路11-1号1幢
（10）申请公布号 CN109576779A
（43）申请公布日 2019.04.05
（72）发明人 张向东;王林;章斌;毛荣昌;程龙柱
（74）专利代理机构 衢州维创维邦专利代理事务所(普通合伙)
代理人 刘奇
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
一种提高重掺锑硅单晶氧含量的生产工艺及其生产设备
（57）摘要
本发明涉及一种提高重掺锑硅单晶氧含量
的生产工艺及其生产设备，其生产设备包括用于装料的石英坩埚、用于晶体成型的单晶炉、用于回收熔料时产生热气的温度稳定装置以及用于控制上述三者的控制柜；所述单晶炉外设有用于将温度稳定装置内部的热气向单晶炉内排出的排气装置；本发明的有益效果：主要是通过在生产晶体时，将石英环作为添加材料加入至多晶硅料内，从而来达到提高重掺锑硅单晶中的氧含量。
法律状态
法律状态公告日
2019-04-05 2019-04-05 2019-04-30
公开 公开
实质审查的生效
法律状态信息
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法律状态
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权利要求说明书
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说明书
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