专利名称：高压设备中的静电放电保护专利类型：发明专利发明人：艾格尼丝·N·伍申请号：CN200510131784.2申请日：20051213公开号：CN1819183A公开日：20060816
摘要：一种ESD器件，包括连接到第一触点上的低掺杂阱，和连接到第二触点上的扩散区。低掺杂阱和扩散区之间的基体的掺杂物极性与低掺杂阱和扩散区的掺杂物极性相反。低掺杂阱和扩散区之间的距离决定了ESD器件的触发电压。当向ESD设备施加反偏压时，低掺杂阱与基体之间形成损耗区。当反偏压促使损耗区与扩散区开始接触时，第一触点与第二触点之间形成电流放电路径。通过连接到第二触点上，基体被偏置。选择性地，掺杂物极性相同的附加扩散区连接到第三触点上，使基体偏置。
申请人：美国博通公司
地址：美国加州
国籍：US
代理机构：深圳市顺天达专利商标代理有限公司
代理人：蔡晓红
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