专利名称：第三代半导体的刻蚀方法和装置专利类型：发明专利发明人：林大野,徐文凯申请号：CN202010576645.5申请日：20200622公开号：CN111668096A公开日：20200915
摘要：本发明公开一种第三代半导体的刻蚀方法和刻蚀装置，其中，第三代半导体的刻蚀方法，包括以下步骤：将第三代半导体晶圆放置于加工平台上，将所述第三代半导体晶圆待加工面朝上设置；向所述第三代半导体晶圆的待加工面施加刻蚀液，并保持刻蚀液在所述第三代半导体晶圆的待加工面流动更新。本发明技术方案能够有效提升刻蚀的均匀性，有利于提升晶圆的质量、良品率以及性能的可靠性。
申请人：徐文凯
地址：广东省深圳市罗湖区笋岗东路嘉宝田花园鸿福阁10C
国籍：CN
代理机构：深圳市世纪恒程知识产权代理事务所
代理人：张婷
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