PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管。全称是positivecchannelMetalOxideSemiconductor，别名是positiveMOS。


金属氧化物半导体场效应晶体管（Mos）可分为两类：n通道和p通道。p通道硅Mos场效应晶体管在n型硅衬底上有两个p区，即源电极和漏电极。改变栅压可以改变沟道中的空穴密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果n型硅衬底表面上的n-表面存在p型逆层通道。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。